1. 設備用途

本設備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛的條件下進行加壓加熱燒結處理，以便獲得高致密度的產(chǎn)品，例如生產(chǎn)高精度氮化硅陶瓷軸承等。

2. 方案圖

（圖片僅供參考）

3. 主要技術參數(shù)

3.1 電源：三相380V 50Hz

3.2設計溫度：2200℃

3.3額定溫度：室溫-2100℃

3.4控溫區(qū)數(shù)：一區(qū)

3.5控溫方式：1200℃低溫時候熱電偶測溫，1200℃以上高溫紅外測溫

3.8控溫精度：≤±1℃。

3.9冷態(tài)極限真空度：≤6.7*10-³Pa（空爐、冷態(tài)、烘烤除氣后）

3.10充氣氣氛：惰性氣體

3.10充氣壓力（微正壓）：≤0.03MPa

3.11***壓力：10T（數(shù)顯、自動調壓、自動保壓、伺服電動控制）

3.12工作區(qū)域壓頭尺寸直徑：Ф150 mm

3.13 樣品尺寸：Ф50-80mm  

3.13壓力波動：≤±0.01KN，位移精度≤0.01mm

3.14壓力行程：0～100mm（數(shù)顯）

3.15壓力控制：伺服電動缸

3.16 控制方式：觸摸屏+plc模